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EEPW帝豪3不夜城彩票网 > 汽车电子 > 新品快递 > 东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出两款面向48V应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

本文引用地址:http://tphss.com/article/201912/408635.htm

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MOSFET产品图

新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构,安装在电路板上时能够进行自动目视检查,从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗;XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。

应用:

电源装置(DC-DC转换器)和LED头灯等(电机驱动、开关稳压器和负载开关)

特性:

RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)

RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)

主要规格:

(除非另有说明,@Ta=25°C)

器件型号

XPH4R10ANB

XPH6R30ANB

极性

N沟道

漏源极电压

VDSS

V

100

漏极电流

DC

ID

A

70

45

漏极电流

(脉冲)

IDP

A

210

135

沟道温度

Tch

(℃)

175

漏源极导通电阻

RDS(ON)最大值

@VGS=6V

6.2

9.5

@VGS=10V

4.1

6.3

沟道至外壳热阻

Zth(ch-c)

最大值

@Tc=25

(℃/W

0.88

1.13

封装

SOP AdvanceWF

产品系列

U-MOSVIII-H

U-MOSVIII-H

注释:

[1]截至2019年12月25日

[2]在同样规格的产品中,截至2019年12月25日。东芝调查。



关键词: 电气系统 车载
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